- Куда столько: представлен 1000-герцевый... (817)
- Canon не выдержала конкуренции и закрыла... (647)
- Canon нет выдержала конкуренции и закрыла... (750)
- Автомобили Haval подорожали в... (693)
- Nvidia списала GeForce GTX 10 и GTX 900: для... (628)
- Представлена новая версия Motorola Edge... (748)
- Первый в мире на Snapdragon 8 Gen 5, с АКБ... (910)
- «Невероятно атмосферное приключение»:... (709)
- Скидки до 560 тыс. рублей: началась... (740)
- Новая студия создателя Just Cause... (790)
- «Москвич 5» появился у дилеров до... (911)
- Возмутивший фанатов кооперативный шутер... (746)
- После дебюта на бирже акции китайского... (826)
- OpenAI проиграла в суде битву за бренд io —... (657)
- «Мы не покидали Россию». Toyota объяснила... (708)
- Google рассказал, что люди искали в... (804)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...