- 9000 мАч, 165-герцевый экран 3K менее 9... (964)
- «Живее всех живых»: датамайнер рассказал,... (1556)
- Apple не хочет останавливаться на iPhone... (1505)
- Официально: в России уже весной начнут... (1636)
- 4 ГВт·ч и 9 млн ячеек в год. Российскую... (1733)
- На Солнце за ночь произошли три вспышки... (971)
- Wildberries мужской: на маркетплейсе... (1572)
- Илона Маска опередила Google, разработчики... (1638)
- CATL представила электромобильные батареи с... (768)
- Новая статья: Обзор HONOR X8d: тонкий, но... (1105)
- Больше не хрусталь: как складные смартфоны... (1152)
- Ford провела переговоры с Xiaomi о выпуске... (901)
- Omoda станет доступнее для россиян:... (1092)
- На Солнце замечен центр с огромными запасами... (968)
- На Солнце замечен центр с огромными запасами... (1269)
- Продажи BMW российской сборки выросли вдвое,... (688)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...