- Массовые увольнения в Microsoft не... (4155)
- AMD запустила продажи мини-суперкомпьютера... (4520)
- Зонд «Хаябуса-2» проскочил рядом с... (4166)
- G.Skill объяснила, почему память DDR5 с AMD... (4210)
- Звезда русского дубляжа Gothic 1 Remake... (4083)
- В новейшие ноутбуки Lenovo ThinkBook начали... (3979)
- Календарь релизов — 6–12 июля: Assassin’s... (4035)
- Клин клином: Reddit запустила ИИ против... (3677)
- Nintendo прекратит продажи оригинальной... (4393)
- Российский разработчик портировал в браузер... (4601)
- Не только Fallout и The Elder Scrolls:... (5106)
- Дата-центр M**a заразил редкой бактерией... (4305)
- Intel задумалась о подводе питания с обеих... (5247)
- Apple договорилась с Broadcom о поставках... (4790)
- Xbox уволит 3200 сотрудников и избавится от... (5587)
- EA Sports FC 26 в разгар Чемпионата мира по... (4927)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...